国家知识产权局信息显示，深圳市小芯半导体有限公司;华南理工大学申请一项名为“一种电压和电流双检测过流保护的碳化硅智能功率模块”的专利，公开号CN121966312A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种电压和电流双检测过流保护的碳化硅智能功率模块，涉及半导体技术领域。该模块针对现有硅基智能功率模块（IPM）在适配碳化硅金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管时，因过流保护响应速度慢、易受干扰误触发的问题，采用退饱和电压检测与子电流检测相结合的双重过流保护机制，并通过混合集成硅基与碳化硅功率器件，兼顾不同应用场景的性能需求。模块内部集成3颗驱动控制芯片、6颗IGBT芯片、6颗快恢复二极管芯片、1颗SiCMOSFET芯片、2颗碳化硅肖特基势垒二极管芯片及1颗贴片采样电阻，所有元件封装于同一绝缘散热基板与引线框架组合结构中，实现高集成度、高可靠性与快速过流保护，可广泛应用于消费家电、工业控制、新能源等领域。
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